Name: 全自動(dòng)非接觸晶圓電阻率成像系統(tǒng)
Brand: 昊量光電
Availability: InStock

品牌	昊量光電	產(chǎn)地類別	國(guó)產(chǎn)
應(yīng)用領(lǐng)域	綜合

全自動(dòng)非接觸晶圓電阻率成像系統(tǒng)

昊量光電代理的德國(guó) Suragus 公司研發(fā)的全自動(dòng)晶圓成像設(shè)備，專為半導(dǎo)體行業(yè)設(shè)計(jì)，通過(guò)非接觸式渦流技術(shù)與光學(xué)傳感結(jié)合，實(shí)現(xiàn)晶圓基板及涂層的全區(qū)域表征，核心價(jià)值在于保障半導(dǎo)體制造的工藝可靠性與質(zhì)量管控，廣泛適配 Si、SiC、GaN 等主流及寬禁帶半導(dǎo)體材料，是兼顧高采樣率、高精度與空間優(yōu)化的一體化檢測(cè)解決方案。

EddyCus map C2C isometric

一、全自動(dòng)非接觸晶圓電阻率成像系統(tǒng)核心的技術(shù)與測(cè)量的能力

設(shè)備以雙非接觸式渦流傳感器（透射模式）為核心，搭配光學(xué)傳感模塊，可同步完成電性能與物理形態(tài)的多參數(shù)測(cè)量，覆蓋半導(dǎo)體制造關(guān)鍵檢測(cè)需求：

1. 電性能參數(shù)

電阻率：測(cè)量范圍 0.1–100 mOhm?cm，精度 1–5%（低阻值區(qū)間精度更高），適配低阻半導(dǎo)體材料檢測(cè)；
薄層電阻：覆蓋 0.0001–100,000 Ohm/sq（部分版本可擴(kuò)展至 200,000 Ohm/sq），支持 6 個(gè)數(shù)量級(jí)測(cè)量，滿足從金屬薄膜到高阻涂層的多樣化需求；
金屬層厚度：基于薄層電阻推導(dǎo)，范圍 2 nm–1 mm，可精準(zhǔn)檢測(cè)鋁、銅等金屬薄膜及厚膜涂層，適配半導(dǎo)體封裝、晶圓 metallization 等工藝。

2. 物理形態(tài)參數(shù)

總厚度變化（TTV）：300–1,000 μm，通過(guò)光學(xué)傳感器捕捉晶圓厚度均勻性，排查基板制造缺陷；
翹曲（Bow/Warpage）：±1 mm，檢測(cè)晶圓彎曲程度，避免后續(xù)光刻、鍵合工藝中的對(duì)準(zhǔn)偏差；
缺陷識(shí)別：可捕捉微觀裂紋、薄膜厚度不均等問(wèn)題，替代多臺(tái)單一功能設(shè)備，簡(jiǎn)化質(zhì)檢流程。

二、全自動(dòng) 非接觸晶圓電阻率成像系統(tǒng)的核心優(yōu)勢(shì)

1. 全自動(dòng)化與高 throughput

配備全自動(dòng)晶圓盒（Cassette）搬運(yùn)系統(tǒng)，支持 150 mm（6 英寸）、200 mm（8 英寸）晶圓盒（單盒容量 25 片），2–4 英寸晶圓可通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)適配器兼容；
檢測(cè)效率達(dá) 60 片 / 小時(shí)（約 1,000 片 / 天），單晶圓測(cè)量時(shí)間 30–90 秒（可根據(jù)測(cè)量點(diǎn)數(shù)調(diào)整），適配量產(chǎn)型半導(dǎo)體產(chǎn)線節(jié)奏；
全程非接觸式操作：僅在晶圓側(cè)面施加微小作用力，避免基板表面劃傷、污染，保障晶圓完整性。

2. 高分辨率與全區(qū)域表征

支持 22,000–100,000 個(gè)測(cè)量點(diǎn)的全表面 mapping，可生成電阻率、薄層電阻等參數(shù)的高分辨率圖像，直觀呈現(xiàn)材料均勻性；
配套軟件提供直方圖、線掃描、3D 視圖等分析工具，支持局部區(qū)域精準(zhǔn)復(fù)掃，助力工藝問(wèn)題定位（如離子注入不均、薄膜沉積異常）。

3. 空間與成本優(yōu)化

超小占地面積：設(shè)備尺寸僅 785 mm×1,170 mm×666 mm（約 0.93 ㎡），可直接放置于潔凈室工作臺(tái)，節(jié)省昂貴的潔凈室空間；
一體化設(shè)計(jì)：集成電性能、物理形態(tài)檢測(cè)功能，替代 3–4 臺(tái)單一設(shè)備，降低設(shè)備采購(gòu)、維護(hù)及空間占用成本。

4. 寬材料適配性

兼容硅（Si）、砷化鎵（GaAs）、碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等主流及寬禁帶半導(dǎo)體材料，適配功率半導(dǎo)體、射頻器件、航天級(jí)芯片等應(yīng)用；

支持透明導(dǎo)電膜（如 ITO）、石墨烯、導(dǎo)電聚合物等新型材料檢測(cè)，拓展至光伏、柔性電子等領(lǐng)域。

SiC-Wafer Resistivity Si-Wafer Resistivity Wafer Metallization GaN-Wafer Resistivity